Contexte
La poudre de carbure de silicium synthétique est produite en masse depuis 1893 pour être utilisée comme abrasif.
Les grains de carbure de silicium peuvent être liés entre eux par frittage pour former des céramiques très dures qui sont largement utilisées dans les applications nécessitant une endurance élevée.
Les dispositifs en carbure de silicium offrent une fiabilité de fonctionnement dans des applications haute tension, fréquence et haute température.
Les dispositifs semi-conducteurs à base de carbure de silicium commencent aujourd’hui à être largement utilisés dans les applications industrielles.
Description
L’invention regroupe deux procédés de fabrication de composants en SiC utilisant notamment la rugosification et l’amorphisation, afin de développer des dispositifs de LEDs.
Dans le détail, ces deux procédés se décomposent comme suit :
- Contrôle de la rugosification du SiC par des recuits haute température pour extraire et améliorer sa luminescence
- Rendre les couches SiC à un état amorphe au préalable pour mieux extraire et améliorer sa luminescence
Avantages compétitifs
- SiC : matériau recyclable à l’infini
- Applications haute T°C / fortes puissances et fortes intégrations
- Coût global de fabrication réduit
Marchés et applications
- Optoélectronique
- Photonique
- Capteurs
Stade de développement
TRL 7
Équipe de recherche
Laboratoire L2n (Lumière, nanomatériaux et nanotechnologies UTT/CNRS UMR 7076)
Propriété intellectuelle
Deux brevets
Partenariat recherché
Licence de brevet
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Benjamin JOBARD
Business Developer
benjamin.jobard@sayens.fr
